IRLL2703PBF - MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

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MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
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Technische Daten für IRLL2703PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRLL2703PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IRLL2703PBF

Datenblätter : IRLL2703PBF.pdf

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