IXFR4N100Q - MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247

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MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
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Technische Daten für IXFR4N100Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFR4N100Q
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 80W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ISOPLUS247™
Paket / fall : ISOPLUS247™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXFR4N100Q

Datenblätter : IXFR4N100Q.pdf

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