1N916B - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 1N916B

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N916B
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 20mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package : DO-35
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für 1N916B

Datenblätter : 1N916B.pdf

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