MTB30P06VT4G - MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK

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MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
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Technische Daten für MTB30P06VT4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MTB30P06VT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2190pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : MTB3 , MTB30P

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Datenblätter : MTB30P06VT4G.pdf

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