SSM6K217FE,LF - MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4723300 Pieces
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Technische Daten für SSM6K217FE,LF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SSM6K217FE,LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Serie :
U-MOSVII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.1nC @ 4.2V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
130pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
ES6
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SSM6K217FE,LF
Datenblätter :
SSM6K217FE,LF.pdf
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