ALD1110ESAL - MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-ALD1110ESAL
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
71950 Pieces
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Technische Daten für ALD1110ESAL
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ALD1110ESAL
Hersteller : Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Serie : EPAD®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 10V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.01V @ 1µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Leistung max : 600mW
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für ALD1110ESAL
Datenblätter : ALD1110ESAL.pdf
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