ALD1110ESAL - MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-ALD1110ESAL
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
71950 Pieces
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Technische Daten für ALD1110ESAL
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
ALD1110ESAL
Hersteller :
Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Serie :
EPAD®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
10V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.01V @ 1µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2.5pF @ 5V
Leistung max :
600mW
Betriebstemperatur :
0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für ALD1110ESAL
Datenblätter :
ALD1110ESAL.pdf
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