W987D2HBJX6E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für W987D2HBJX6E TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : W987D2HBJX6E TR
Hersteller : Winbond Electronics
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße : 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5.4ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-TFBGA
Supplier Device Package : 90-VFBGA (8x13)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für W987D2HBJX6E TR
Datenblätter : W987D2HBJX6E TR.pdf
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