K4A8G165WC-BITD - 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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Technische Daten für K4A8G165WC-BITD
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : K4A8G165WC-BITD
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Serie : DDR4
Dichte : 8 Gb
Org. : 512M x 16
Geschwindigkeit : 2666 Mbps
Stromspannung : 1.2 V
Temp. : -40 ~ 95 °C
Paket : 96FBGA
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für K4A8G165WC-BITD
Datenblätter : K4A8G165WC-BITD.pdf
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