AUIRF7379QTR - MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-AUIRF7379QTR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für AUIRF7379QTR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AUIRF7379QTR
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V
Leistung max : 2.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AUIRF7379QTR
Datenblätter : AUIRF7379QTR.pdf
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