SI4590DY-T1-GE3 - MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI4590DY-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI4590DY-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 50V
Leistung max : 2.4W, 3.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI4590DY-T1-GE3
Datenblätter : SI4590DY-T1-GE3.pdf
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