SI5511DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SI5511DC-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI5511DC-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
435pF @ 15V
Leistung max :
3.1W, 2.6W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package :
1206-8 ChipFET™
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI5511DC-T1-GE3
Datenblätter :
SI5511DC-T1-GE3.pdf
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