STB42N60M2-EP - MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
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MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
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Technische Daten für STB42N60M2-EP
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STB42N60M2-EP
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
Serie : MDmesh™ M2-EP
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2370pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STB42N60M2-EP
Datenblätter : STB42N60M2-EP.pdf
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