IPG20N06S4L26ATMA1 - MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
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Interne Teilenummer
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPG20N06S4L26ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPG20N06S4L26ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1430pF @ 25V
Leistung max : 33W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PG-TDSON-8-4
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPG20N06S4L26ATMA1
Datenblätter : IPG20N06S4L26ATMA1.pdf
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