SM8S33AHE3/2E - TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SM8S33AHE3/2E
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SM8S33AHE3/2E
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PAR®
Teilestatus :
Obsolete
Art :
Zener
Unidirektionale Kanäle :
1
Bidirektionale Kanäle :
-
Spannung - Reverse Standoff (Typ) :
33V
Spannung - Durchschlag (min.) :
36.7V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp :
53.3V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) :
124A
Leistung - Spitzenimpuls :
6600W (6.6kW)
Stromleitungsschutz :
No
Anwendungen :
Automotive
Kapazität bei Frequenz :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-218AB
Supplier Device Package :
DO-218AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SM8S33AHE3/2E
Datenblätter :
SM8S33AHE3/2E.pdf
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