BSS169H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2665330 Pieces
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Technische Daten für BSS169H6327XTSA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSS169H6327XTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
170mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 7V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
68pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
360mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSS169H6327XTSA1
Datenblätter :
BSS169H6327XTSA1.pdf
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