DMG8822UTS-13 - MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
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Technische Daten für DMG8822UTS-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMG8822UTS-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 841pF @ 10V
Leistung max : 870mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package : 8-TSSOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMG8822UTS-13
Datenblätter : DMG8822UTS-13.pdf
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