DS1250AB-100IND+ - IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7048 Pieces
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Technische Daten für DS1250AB-100IND+
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DS1250AB-100IND+
Hersteller : Maxim Integrated
Beschreibung : IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : NVSRAM
Technologie : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße : 4Mb (512K x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 100ns
Zugriffszeit : 100ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Supplier Device Package : 32-EDIP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DS1250AB-100IND+
Datenblätter : DS1250AB-100IND+.pdf
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