SIHF30N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 29A TO220
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
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Technische Daten für SIHF30N60E-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIHF30N60E-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Serie : E
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 37W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : -
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIHF30N60E-GE3
Datenblätter : SIHF30N60E-GE3.pdf
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