IPG20N10S4L35ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON

Hersteller Teilenummer

IPG20N10S4L35ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPG20N10S4L35ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 8TDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

990140 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für IPG20N10S4L35ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPG20N10S4L35ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 8TDSON

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 16µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1105pF @ 25V

Leistung max : 43W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Supplier Device Package : PG-TDSON-8-4

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPG20N , IPG20N10S

Dokumente für IPG20N10S4L35ATMA1

Datenblätter : IPG20N10S4L35ATMA1.pdf

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