IXTF6N200P3 - MOSFET N-CH

Hersteller Teilenummer

IXTF6N200P3

Interne Teilenummer

AX-IXTF6N200P3

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

30317 Pieces

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~~USD 12.954~~

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Technische Daten für IXTF6N200P3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTF6N200P3

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH

Serie : Polar™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 2000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 143nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3700pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 215W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : ISOPLUS i4-PAC™

Paket / fall : ISOPLUSi5-Pak™

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTF6N200P3

Datenblätter : IXTF6N200P3.pdf

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