FQA6N80_F109 - MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Hersteller Teilenummer

FQA6N80_F109

Interne Teilenummer

AX-FQA6N80_F109

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6416 Pieces

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Technische Daten für FQA6N80_F109

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQA6N80_F109

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Serie : QFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 185W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-3P

Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FQA6N80_F109

Datenblätter : FQA6N80_F109.pdf

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