SCT3030ALGC11 - MOSFET NCH 650V 70A TO247N

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Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
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Technische Daten für SCT3030ALGC11

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SCT3030ALGC11
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 27A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 13.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1526pF @ 500V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 262W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247N
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SCT3030ALGC11

Datenblätter : SCT3030ALGC11.pdf

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