IRF1902GTRPBF - MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRF1902GTRPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF1902GTRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
310pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF1902GTRPBF
Datenblätter :
IRF1902GTRPBF.pdf
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