SI4963BDY-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

SI4963BDY-T1-E3

Interne Teilenummer

AX-SI4963BDY-T1-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI4963BDY-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI4963BDY-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 1.1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SI4963BDY-T1-E3.pdf

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