FDP2670 - MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB

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MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
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Technische Daten für FDP2670

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDP2670
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 93W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : FDP2670.pdf

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