ZXMN6A09KQTC - MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Hersteller Teilenummer

ZXMN6A09KQTC

Interne Teilenummer

AX-ZXMN6A09KQTC

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für ZXMN6A09KQTC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXMN6A09KQTC

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1426pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 10.1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ZXMN , ZXMN6A

Dokumente für ZXMN6A09KQTC

Datenblätter : ZXMN6A09KQTC.pdf

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