IRF200B211 - MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF200B211
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRF200B211
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF200B211
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 80W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRF200B211
Datenblätter : IRF200B211.pdf
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