1N916B_T50R - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-1N916B_T50R
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4304 Pieces
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Technische Daten für 1N916B_T50R
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
1N916B_T50R
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 20mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package :
DO-35
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für 1N916B_T50R
Datenblätter :
1N916B_T50R.pdf
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