1N6080US - DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-1N6080US
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
20032 Pieces
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Technische Daten für 1N6080US
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N6080US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
Serie : -
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 37.7A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, G
Supplier Device Package : G-MELF (D-5C)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 155°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 1N6080US
Datenblätter : 1N6080US.pdf
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