PMXB360ENEAZ - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Hersteller Teilenummer

PMXB360ENEAZ

Interne Teilenummer

AX-PMXB360ENEAZ

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für PMXB360ENEAZ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMXB360ENEAZ

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 400mW (Ta), 6.25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DFN1010D-3

Paket / fall : 3-XDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PMXB360ENEAZ

Datenblätter : PMXB360ENEAZ.pdf

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