TN0610N3-G-P013 - MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für TN0610N3-G-P013
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TN0610N3-G-P013
Hersteller :
Microchip Technology
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
500mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92-3
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TN0610N3-G-P013
Datenblätter :
TN0610N3-G-P013.pdf
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