STI6N62K3 - MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK

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MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
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Technische Daten für STI6N62K3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STI6N62K3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
Serie : SuperMESH3™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 620V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 875pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 90W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAK
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : STI6N62K3.pdf

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