AOT3N100 - MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220

Hersteller Teilenummer

AOT3N100

Interne Teilenummer

AX-AOT3N100

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

484600 Pieces

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Technische Daten für AOT3N100

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : AOT3N100

Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 132W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für AOT3N100

Datenblätter : AOT3N100.pdf

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