PMXB65UPEZ - MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-PMXB65UPEZ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für PMXB65UPEZ
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMXB65UPEZ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DFN1010D-3
Paket / fall : 3-XDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PMXB65UPEZ
Datenblätter : PMXB65UPEZ.pdf
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