IXFH9N80 - MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFH9N80
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
53430 Pieces
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Technische Daten für IXFH9N80
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFH9N80
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 180W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AD (IXFH)
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXFH9N80
Datenblätter : IXFH9N80.pdf
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