W632GG6MB-12 TR - IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

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IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für W632GG6MB-12 TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : W632GG6MB-12 TR
Hersteller : Winbond Electronics
Beschreibung : IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR3
Speichergröße : 2Gb (128M x 16)
Taktfrequenz : 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 20ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 96-VFBGA
Supplier Device Package : 96-VFBGA (7.5x13)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : W632G , W632GG6

Dokumente für W632GG6MB-12 TR

Datenblätter : W632GG6MB-12 TR.pdf

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