NSVDTC123JET1G - TRANS NPN 50V 0.1A SC75
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Kurze Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.1A SC75
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NSVDTC123JET1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NSVDTC123JET1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS NPN 50V 0.1A SC75
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-75, SOT-416
Supplier Device Package : SC-75, SOT-416
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NSVDTC123JET1G
Datenblätter : NSVDTC123JET1G.pdf
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