FDMD85100 - MOSFET 2N-CH 100V

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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FDMD85100

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMD85100
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 50V
Leistung max : 2.2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-Power 5x6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FDM , FDMD

Dokumente für FDMD85100

Datenblätter : FDMD85100.pdf

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