IXTU06N120P - MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251

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MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
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Technische Daten für IXTU06N120P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTU06N120P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 600mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-251
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTU06N120P

Datenblätter : IXTU06N120P.pdf

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