IRF9Z34NLPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF9Z34NLPBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
64885 Pieces
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Technische Daten für IRF9Z34NLPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF9Z34NLPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF9Z34NLPBF
Datenblätter :
IRF9Z34NLPBF.pdf
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