JANTXV1N6109AUS - TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF
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Kurze Beschreibung
TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für JANTXV1N6109AUS
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JANTXV1N6109AUS
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/516
Teilestatus : Active
Art : Zener
Unidirektionale Kanäle : -
Bidirektionale Kanäle : 1
Spannung - Reverse Standoff (Typ) : 9.9V
Spannung - Durchschlag (min.) : 12.35V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp : 18.2V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) : 27.5A
Leistung - Spitzenimpuls : 500W
Stromleitungsschutz : No
Anwendungen : General Purpose
Kapazität bei Frequenz : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : B, SQ-MELF
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für JANTXV1N6109AUS
Datenblätter : JANTXV1N6109AUS.pdf
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