SQ2361AEES-T1_GE3 - MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1765950 Pieces
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Technische Daten für SQ2361AEES-T1_GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SQ2361AEES-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
-
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SQ2361AEES-T1_GE3
Datenblätter :
SQ2361AEES-T1_GE3.pdf
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