SQ2361AEES-T1_GE3 - MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Hersteller Teilenummer

SQ2361AEES-T1_GE3

Interne Teilenummer

AX-SQ2361AEES-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1765950 Pieces

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Technische Daten für SQ2361AEES-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQ2361AEES-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : -

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQ236 , SQ2361AE

Dokumente für SQ2361AEES-T1_GE3

Datenblätter : SQ2361AEES-T1_GE3.pdf

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