STH270N8F7-2 - MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

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MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
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Technische Daten für STH270N8F7-2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STH270N8F7-2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 193nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13600pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 315W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : H²PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STH270N8F7-2

Datenblätter : STH270N8F7-2.pdf

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