BSM180C12P2E202 - BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Hersteller Teilenummer

BSM180C12P2E202

Interne Teilenummer

AX-BSM180C12P2E202

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9084 Pieces

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Technische Daten für BSM180C12P2E202

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSM180C12P2E202

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 204A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35.2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : +22V, -6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1360W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : Module

Paket / fall : Module

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BSM180C12P2E202

Datenblätter : BSM180C12P2E202.pdf

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