FQA9N90C-F109 - MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FQA9N90C-F109

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FQA9N90C-F109
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2730pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 280W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FQA9N90C-F109

Datenblätter : FQA9N90C-F109.pdf

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