MMDF2C03HDR2G - MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für MMDF2C03HDR2G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
MMDF2C03HDR2G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.1A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
630pF @ 24V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für MMDF2C03HDR2G
Datenblätter :
MMDF2C03HDR2G.pdf
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