IRF6711STRPBF - MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRF6711STRPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF6711STRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Ta), 84A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1810pF @ 13V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ SQ
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric SQ
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF6711STRPBF
Datenblätter :
IRF6711STRPBF.pdf
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