IRF6711STRPBF - MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ

Hersteller Teilenummer

IRF6711STRPBF

Interne Teilenummer

AX-IRF6711STRPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRF6711STRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF6711STRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Ta), 84A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1810pF @ 13V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET™ SQ

Paket / fall : DirectFET™ Isometric SQ

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRF6711STRPBF

Datenblätter : IRF6711STRPBF.pdf

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