IRF6629TR1PBF - MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IRF6629TR1PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF6629TR1PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 29A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4260pF @ 13V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DIRECTFET™ MX
Paket / fall : DirectFET™ Isometric MX
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRF6629TR1PBF
Datenblätter : IRF6629TR1PBF.pdf
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