1N4448,113 - DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-1N4448,113
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für 1N4448,113
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N4448,113
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25nA @ 20V
Kapazität @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package : ALF2
Betriebstemperatur - Übergang : 200°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 1N4448,113
Datenblätter : 1N4448,113.pdf
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