DMTH10H010LCTB-13 - MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für DMTH10H010LCTB-13
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMTH10H010LCTB-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
108A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
53.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2592pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.4W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMTH10H010LCTB-13
Datenblätter :
DMTH10H010LCTB-13.pdf
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